Сергей Логинов
Оракул
(87508)
9 лет назад
Это же не гетеропереход? И там, и там собственный полупроводник одного вида? Тогда всё просто.
1. Концентрация собственных носителей заряда в обеих частях перехода одинакова (полупроводники одного вида, например, кремний) ,
2. Начинаем их легировать: произведение концентраций основных и неосновных носителей заряда равна квадрату концентрации собственных:
Пример: (кремний) n(i) = 1E10, доводим n(p) до 1E13, тогда автоматически n(n) снижается на эти 3 порядка (1000 раз) до 1E7.
3. Раз одна их областей сильно легирована, в ней концентрация неосновных носителей ничтожна, ею и можно пренебречь. Конкретно, концентрацией дырок (носителей p) в n+ части. И током, ими создаваемым.
Чтобы было понятнее, возьмем такой переход:
в части n+ имеем n(n) = 1 E14, тогда n(p) = 1 E6
в части p имеем n(p) = 1 E13, тогда n(n) = 1E7
Отсюда видно, что ток неосновных носителей заряда из области p будет в 10 раз превышать такой из области n (1E7 / 1E6 = 10).
Буквой n, если она не в скобках, обозначена концентрация, если в скобках, то электрон, буквой p соответственно дырка (она только в скобках) . Поэтому n(n) надо читать как "концентрация электронов" (понятное дело, свободных, т. е. в зоне проводимости) , а n(p) как "концентрация дырок" (тоже свободных, только уже в валентной зоне) .
Будет что не понятно, пиши. А с уравнением разберись сам и зачеркни часть для n.