Электроника. Напряжение отсечки и напряжение насыщения
Есть разница между этими напряжениями (МДП-транзистор)?
Если есть - в чем?
Нет ничего общего не только между смыслом параметров, но даже и между самими объектами применения!
Напряжение насыщения определяется только для биполярных транзисторов. Это напряжение между коллектором и эмиттером, когда оба перехода смещены в прямом направлепнии (в нормальнром режиме - активном - куоллекторный переход смещё в обратном направлении) .
А напряжение отсечки - это для полевого транзистора. Причём существуют два напряжения с таким названием (при этом только в одном случает употребление термина правильное) . Это то напряжение на стоке, при котором ток стока перестаёт зависеть от напряжениея затвор-исток (характеристика ID - VGS переходит из крутой области в пологую) . Ну и частенько напряжением отсечки называют напржение затвор-сток, при котором ток стока падает до некоторого порогового занчения. На самом деле это напряжение правильнее называть именно пороговым напряжением (а не отсечкой) .
Напряжение насыщения для МОП-транзистора не имеет смыла вводить, поскольку на участке насыщения он ведёт себя линейно, как резистор. Так что при нулевом токе и напряжение на нём равно нулю.
Разница? Да просто ничего общего нет!
Напряжение насыщения - напряжение на стоке, при котором транзистор входит в область насыщения и ток стока перестаёт зависеть от этого напряжения а определяется напряжением затвора
А напряжен ие отсечки - это напряжение вовсе на затворе, запирающее канал (ток стока)
Конечный результат обоих режимов общий-транзисторы перестают усиливать аналоговый сигнал, но это дает возможность использовать оба типа транзисторов в ключевом режиме: "открыт" / "закрыт".
Это разные вещи. Насыщение - грубо говоря, это когда транзистор "полностью открыт".
Отсечка - когда "полностью закрыт"