Пороговое напряжение диода?

Плоский атом (Flat Atom) — новая квантовая атомоподобная структура, что индуцируется в однородном электрическом поле МДП- транзисторов. Впервые описана в средине 90-х годов Якимахой. Известно, что в природе встречаются только сферически симметричные атомы (объемные структуры) , теория которых была разработана в 20-х годах прошлого столетия путем введения новой физической дисциплины, которая получила название квантовая механика, в основе которой лежит уравнение Шредингера. В начале 90-х годов прошлого столетия была открыта атомоподобная структура в МДП- транзисторах, что проявляла себя в форме низкочастотного резананса обусловленного малыми значеннями реактивных квантовых параметров. Квантовалась плоская плоскость, емкость, частота и энергия :

F

m

rad/S

,
где , — масса покоя электрона и — радиус Бора. В случае заполнения кванта плоской плоскости одним электроном, эта энергия была в раз меньше за боровский масштаб энергий. Но в отличие от сферически симметричного атома Бора, плоский атом есть чисто статистическое явление, и поэтому квант плоскости здесь может заполняться многими электронами. Например, полное заполнение первого уровня энергии плоского атома осуществляется большой численностью электронов:

Содержание [убрать]
1 Плоский атом как резонансный контур
2 Проявления плоского атома через ВАХ МДП-транзистора
3 См. также
4 Литература

[править] Плоский атом как резонансный контур
Так само, как и в случае атома Бора, плоский резонансный контур имеет квант плоской индуктивности:

H.
Элементарная теория в рамках которой определяется реактивные параметры подана в статье, посвященной квантовому эффетку Шоттки. Последние и определяют волновое сопротивление контура:

,
равное волновому сопротивлению вакуума, а его резонансеая частота ω0 определяет масштаб энергий одноэлектронного плоского атома.

[править] Проявления плоского атома через ВАХ МДП-транзистора
Необходимо отметить, что электроны связанные с реактивными квантовыми параметрами, очевидно связаны, и не принимают участия в создании тока стока МДП-транзистора. Поэтому они могут себя проявить только в изменении пороговых напряжений и параметров, связанных с низкочастотным резонансом.

Формирование квантового плоского атома состоит из постоянного заполнение уровней энергии многочисленными электронами. Режим слабой инверсии МДП-транзистора можно интерпретировать как режим заполнения первого уровня энергии электронами. С началом заполнения второго уровня энергии начинается режим т. н. сильной инверсии.

Необходимо отметить, что при этом напряжения на затворе разбиваются равномерно на области около 1,2В, при чем для каждой области имеем свое пороговое напряжение. Через пороговое напряжение и выражается перманентно изменения зарядов на кванте плоскости . Изломы сток-затворной характеристики с периодом 1,2В можна определить путем подачи переменного напряжения малой амплитуды на затвор (т. н. спектроскопические исследования МДП- транзисторов, связанные с измерениями производных старших порядков) .

В прямом направлении диод также всегда закрыт. И открывается при приложении прямого напряжения выше порогового значения. Оно обычно не большое - несколько милливольт, но существует. А обратное пороговое напряжение для диода - это максимальное напряжение пробоя его перехода и обычно измеряется десятками, сотнями или тысячами вольт.

Минимальное прямое напряжение, при котором диод "открывается".

Пороговое напряжение - это напряжение, начиная с которого увеличение прямого падение напряжения от тока приобретает линейную зависимость, которая определяется значением динамического сопротивления диода. Ниже этого напряжения диод "закрыт"

Берем батарейку 1,5 вольта измеряем на ней напряжение смотрим, 1,52 к примеру, измеряем снова, но через любой диод смотрим 1,02 - пол вольта диод украл, это и есть его пороговое напряжение когда он закрыт, а когда отрыт на нем падает от 0,2, до 0,7 вольта, зависит от типа диода....