ГЛАС
Просветленный
(24074)
16 лет назад
Если к р — n-переходу диода приложить напряжение в прямом направлении, т. е. подать на его р-область положительный потенциал, то потенциальный барьер, соответствующий переходу, понижается и начинается интенсивная инжекция дырок из р-области в n-область и электронов из n-области в р-область — течёт большой прямой ток .
В этом случае сопротивление диода резко уменьшается.
Если приложить напряжение в обратном направлении, то потенциальный барьер повышается и через р — n-переход протекает лишь очень малый ток неосновных носителей заряда .
Сопротивление диода будет очень высоким.