Помогите пояснить механизм образования резкого р-n перехода??

Question

Помогите пояснить механизм образования резкого р-n перехода??

Lisa Lisa Знаток (260), закрыт 5 лет назад

Answer 1

"резкость" перехода определяется плотностью носителей.
... Чем больше доноров с одной стороны и аксепторов с другой, тем тоньше переход.
У тунельных и обратных диодов настолько "резкий" что электрончики его почти и не замечают - тунелируют

Answer 2

http://fizikabook.ru/articles/dyrochnaya-provodimost.html
Дырочная проводимость (р-проводимость) — Проводимость полупроводника, в котором основными носителями заряда являются дырки. Такие полупроводники получаются при добавлении к чистому полупроводнику акцепторных примесей (см. Акцептор), что значительно увеличивает концентрацию дырок в полупроводнике. (с)

Ответ - стык материалов с разными свойствами, или одного и того же материала с разными примесями в сплав. На стыке таких материалов и образуется p-n переход, и получается диод с односторонней проводимостью, а если 3 элемента - то транзистор.

Answer 3

Резкий - это барьер Шотки по вашему мнению?