Физика работы p-n перехода

Прошу помочь, пытаюсь вникнуть в работу полупроводников и приборов на их основе

Высота энергетического барьера p-n перехода не может быть больше, чем…
а) произведение теплового потенциала на заряд электрона;
б) сумма энергий активации доноров и акцепторов;
в) сумма сродства к электрону в p- и n-области;
г) ширина запрещенной зоны полупроводника;
д) разность энергий уровней доноров и акцепторов.

При обратных напряжениях на p-n-переходе более 10 В барьерная емкость менее всего зависит от…
а) концентрации примеси;
б) закона распределения примеси;
в) температуры;
г) полупроводника (Ge, Si и др.), в котором сформирован p-n-переход;
д) площади перехода;
е) значения приложенного напряжения.