Нагрев нранзистора и подбор радиатора.

Этот транзистор без радиатора может рассеять 1Ватт мощности, это ток через транзистор умножить на падение напряжения на коллектор-эмиттер плюс ток базы умножить на её напряжение, и то это максимальные его возможности при постоянном напряжении,

Расчёт мощности тепловыделения на сопротивлении открытого канала и температуры кристалла транзистора.

Мощность выделяемая на кристалле P
P = I² * R - квадрат тока умножить на сопротивление открытого канала Rds(on) -смотреть в даташите график изменения сопротивления канала от температуры кристалла «Normalized On-Resistance Vs. Temperature»), для биполярного транзистора ток разделить на напряжение перехода коллектор-эмиттер по даташиту.
Ток I, если известна рассеиваемая мощность и сопротивление канала.
I = √(Pd max)/R квадратный корень из – рассеиваемая мощность делённая на сопротивление.
Максимальная рассеиваемая мощность транзистора Pd max
Pd max= (Tj max-Ta)/Rja
Tj max – назначается требуемая температура кристалла
Pd max получается с учётом требуемой температуры кристалла.
Температура кристалла фактическая Tj
Tj = (P * Rja) + Ta, где Ta – температура воздуха (окружающей среды), P- мощность выделяемая на кристалле, Rja - тепловое сопротивление кристалл-воздух = сумме всех тепловых сопротивлений, Rjc кристалл-корпус, Rcs корпус-радиатор, Rsa радиатор-воздух, (если корпус припаивается к плате с подложкой без радиатора, то существует сопротивление Rjapcb)
Rja = Rjc + Rcs + Rsa
Сопротивление радиатор-воздух Rsa
Rsa= 1/(αt*S)
Где αt – коэффициент теплоотдачи при конвекции для естественного охлаждения радиатора, который ориентировочно равен 10Вт (метр квадратный на градус цельсия ) , а S – площадь поверхности радиатора в метрах квадратных