В чем преимущества полевого транзистора перед биполярным? (поиск в инете ответа не котируется)

Основное преимущество полевого транзистора (никем не упомянутое) , особенно важное для современных микросхем: в нём нет инжекции неосновноых носителей в "чужую" область проводимости, как в биполярном. А значит, полевой транзистор способен работать при сколь угодно малом значении напряжения сток-исток. Например, 0,3 В. Именно это и позволяет запихнуть миллиард транзисторов на один кристалл при разумных значениях потребдяемой мощности.
Биполярный транзистор не может работать, если напряжения в схеме его включения меньше прямого напряжения база-эмиттер, то есть минимум 0,6 В.
И ещё одно преимущество, по крайней мере для ПТ с pn-переходом: шумы. Шумовые свойства таких транзисторов лучше, чем у биполярных. Поэтому столь популярны, к примеру, арсенид-галлиевые ПТ с pn-переходом в СВЧ-технике.

Насчёт "возможности полностью запереть" - не согласен. Не с тем, что можно запереть, а с тем, что это преимущество. Полностью можно запареть и биполярный, так что тут ничья.
Насчёт большей линейности - тоже не согласен. Управляющая характеристика полевого транзистора - квадратичная (ток стока зависит от КВАДРАТА напряжения затвор-исток) . Какая уж тут на фиг линейность. Линеен он как раз не в усилительном, а в КЛЮЧЕВОМ режиме (в крутой области характеристик) , где сопротивление с ток-исток открытого канала действительно более-менее линейно.

По поводу большей радиационной стойкости (осоьбенно опять же для ПТ с pn-переходом) и по поводу большей скорости переключения - согласен.

Добавка про нулевой входной ток. Надо чётко понимать, что это преимущество НА ПОСТОЯННОМ ТОКЕ. Дифференциальное входное сопротивление (т. е. по переменному сигналу) схем на полевых и биполярных транзисторах может быть сопоставимым, поскольку входная ёмкость ПТ выше, чем БТ.

Ой, ещё вспомнил преимущество. У них выше температурная стабильность. h21 биполярных транзисторов прямо пропорционален абсолютной температуре.