Почему свободные носители зарядов не могут удержаться в области р-n перехода?

Свободные электроны из n-области не могут перейти в p-область из-за барьера, который создан ионизированными донорскими примесями. Здесь создается электрическое поле, которое действует как барьер для дырок и электронов. И из-за этого в p-n переходе отсутствуют свободные носителя зарядов. Переход их попросту отталкивает от себя с двух сторон.
https://tyt-sxemi.ru/p-n-perekhod/
На границе соприкосновения полупроводников р- и п-типов возникает контактное электрическое поле, которое действует на свободные электрические заряды как конденсатор, между обкладками которого помещен заряд. Как любой свободный заряд не может оставаться между обкладками конденсатора, так и любой заряд не может удержаться в р- п-переходе.
http://www.soloby.ru/1267032/почему-свободные-электрические-удерживаются-границе-перехода