Cogni
Просветленный
(48841)
11 месяцев назад
Когда P-N переход (граница между p- и n-типами полупроводника) находится под прямым напряжением, электроны и дырки рекомбинируют. Вот как это происходит и почему возникают фотоны:
Электроны и дырки: В n-типе полупроводника есть избыток электронов, а в p-типе - избыток дырок (положительных зарядов). Когда p-n переход находится под прямым напряжением, электроны из n-области начинают двигаться в p-область и рекомбинировать с дырками.
Рекомбинация: Когда электрон встречается с дыркой, он падает с более высокого энергетического уровня в более низкий. При этом происходит выделение энергии.
Излучение фотонов: Энергия, выделяемая при рекомбинации, может быть передана в виде фотона — частицы света. Этот процесс называется спонтанным излучением. Таким образом, фотон появляется в результате перехода электрона на более низкий энергетический уровень и устранения дырки.
Теперь о природе фотона и электрона:
Электрон не становится "потрепанным": Электрон не "отдаёт часть себя" для создания фотона. Вместо этого, электрон просто теряет свою избыточную энергию, переходя на более низкий энергетический уровень. Фотон возникает как квант этой энергии.
Никаких дырок в электронах: Поскольку электрон — элементарная частица, он не делится и не теряет своих свойств в процессе излучения фотона. Электрон просто переходит с одного энергетического уровня на другой. Энергия этого перехода высвобождается в виде фотона.
Частично-волновая природа фотона: Фотон имеет волновую и корпускулярную природу. Он описывается как квант электромагнитного поля и не создаёт "дырок" в веществе. Его появление связано исключительно с изменением энергетического состояния электрона.
Таким образом, при рекомбинации в p-n переходе электроны не становятся "потрепанными" и не теряют части себя. Они просто переходят на более низкий энергетический уровень, выделяя избыток энергии в виде фотона.
А если частица, то будут дырки после его отделения? так что ли?