Дырочная и электронная проводимость транзистора
Доброго времени суток, товарищи. Прошу вас объяснить мне разницу вышеназванных понятий. Ведь во всех биполярных транзисторах (собсна как и в полевых) участие в образовании пн областей и тока принимают непосредственно электроны и их отсутствие ( за счёт эл поля). Но вот в чем вопрос: почему до сих пор все говорят о дырочной проводимости? Опять из-за тяжести переписи всей литературы? И, кстати, я один читаю схемы по пути движения электронов?
Так говорят потому, что в полупроводниковых приборах существует электронно-дырочный переход (p-n-переход) — область соприкосновения двух полупроводников с разными типами проводимости — дырочной ( положительная) и электронной ( отрицательная).
Эти термины, при их некоторой условности, весьма облегчают понимание процессов, происходящих в полупроводниковых приборах при анализе их принципа и особенностей работы.
Дырки удобно описывать как дырки, часто так их и описывают.
а зачем именно - электронов - дырочная - для упрощения понимания...
А в сети мало тебе обучающих пособий и статей? Тут ничего нового и другого тебе не скажут, наоборот, там все проще и доходчивей расписывается....
Эти самые отсутствия электронов ведут себя как положительно заряженные частицы. И описываются точно такими же уравнениями в плане переноса заряда. Вот эти псевдо-частицы называют дырками. Тут нечего переписывать.