Полупроводники, твердотельная электроника

Question

Помогите я вроде кое-что расчитал, но не знаю правильно ли. 
При изготовление диода использован германий p-типа с удельной проводимостью 1,4(Ом*см)^-1 и подвижностью основных носителей 1600(см^2/В×с). Площадь p-n перехода равна 10^-2 см^2, толщина базы W = 100 мкм.
Найти: коэффициент дифузии, концентрацию неосновных носителей . рассчитать предельные значения прямого тока и обратного напряжения .
Рассчитать и построить вольт-амперную характеристику.
Заранее спасибо.

user_313789578 · Accepted Answer

Для расчета коэффициента диффузии $D$ можно использовать формулу:  
$$ 
D = \frac{\mu k T}{q} 
$$ 
где $\mu$ – подвижность (1600 см²/В·с), $k$ – постоянная Больцмана ($8.617 \times 10^{-5}$ эВ/К), $T$ – температура (например, 300 К), $q$ – заряд электрона ($1.6 \times 10^{-19}$ Кл). Подставив значения, получим $D$. 
Концентрация неосновных носителей $n_i$ в p-типа германий можно найти через формулу: 
$$ 
n_i = \sqrt{p_0 \cdot n_0} 
$$ 
где $p_0$ — концентрация дырок, а $n_0$ — концентрация электронов. Для p-типа $n_0$ невелик. 
Для предельного значения прямого тока $I_F$ и обратного напряжения $U_R$ используйте уравнение диода. Вольт-амперную характеристику можно построить, варьируя напряжение и рассчитывая ток по формуле диода.

vov4ik_223 · Answer

Покажи свои расчёты, укажи места где сомневаешься. А "заранее спасибо" за то чтобы сделать домашку за тебя, не катит.

kastrikin_ivan · Answer

В deepseek забей, оно такие задачи в одно действие решает вполне неплохо.