Чем эммитер транзистора отличается от коллектора.
То есть как они различаются физически и как это отличие обуславливает функциональную их разницу.
Отличаются концентрацией примеси (донорной, если это, к примеру, npn-транзистор) и градиентом концентрации в области перехода.
В современных транзисторах (планарно-эпитаксиальных или сходной технологии) эмиттер сильнее легирован, и переход эмиттер-база поэтому более резкий, чем коллекторный. Как следствие - пробивное напряжение эмиттерного перехода намного ниже, чем коллекторного (как правило, это 6,3 В, а для коллекторного - десятки вольт минимум) . От соотношения концентраций примесей в эмиттере и базе зависит и коэффициент инжекции (отношение электронного тока к дырочному) , и чем он выше, тем лучше транзистор. Именно поэтому и делают эмиттер сильно легированным, чтоб переход получился как можно несимметричнее.
В эммитере меньше основных носителей. И он просто меньше коллектора. Это для биполярных
Да, площадь коллекторного перехода больше эмиттерного. Это для того, чтобы носители заряда, инжектируемые эмиттером, проходящие через базу, полнее собирались коллектором.
коллектор отличается от эмиттера, главное отличие коллектора — бо́льшая площадь p — n-перехода