Чем эммитер транзистора отличается от коллектора.

Отличаются концентрацией примеси (донорной, если это, к примеру, npn-транзистор) и градиентом концентрации в области перехода.
В современных транзисторах (планарно-эпитаксиальных или сходной технологии) эмиттер сильнее легирован, и переход эмиттер-база поэтому более резкий, чем коллекторный. Как следствие - пробивное напряжение эмиттерного перехода намного ниже, чем коллекторного (как правило, это 6,3 В, а для коллекторного - десятки вольт минимум) . От соотношения концентраций примесей в эмиттере и базе зависит и коэффициент инжекции (отношение электронного тока к дырочному) , и чем он выше, тем лучше транзистор. Именно поэтому и делают эмиттер сильно легированным, чтоб переход получился как можно несимметричнее.