Напряжение открытия транзистора
скажите пож-та.
Я вот смотрю техническую документация на транзисторы, хочу выбрать полевой что бы открывался напряжением порядка 1В, но в технической документации нету такой графы, почему, как тогда транзистор подобрать?
вот пример посмотрите скажите может я че не так смотрю !___http://lib.chipdip.ru/160/DOC000160366.pdf___!
Ну, наговорили вам.... знатоЧки БЕЗГРАМОТНЫЕ... .
Искомое напряжение называется по русски "напряжение отсечки"
В том смысле, что процесс идёт в другую сторону, и при таком напряжении танзистор ЗАКРЫВАЕТСЯ.
Кстати, имейте ввиду, что большинство p-n-полевых транзисторов и половина МОП (те, что со встроенным, а не индуцированным каналом) при НУЛЕ на затворе - ОТКРЫТЫ... .
PS. А смотрите Вы не "не так", а НЕ ТАМ!!! !
Вы, кажись, хотели ПОЛЕВОЙ транзистор, а в ссылке таблица характеристик БИПОЛЯРНЫХ!
1 вольт для затвора - мало. Биполярный транзистор больше подходит.
Надо искать в описаловке пороговое напряжение затвора (Gate Treshold voltage). На обычно нормально открываются полевики гораздо большим напряжением. Даже Logic Level полевики, у которых этот порог пониже (1-2 В) работают при 3 В и более. А обычным дают и 10-15 В. При проектировании схем никто и не рассчитывает, что полевик (MOSFET) будет работать при таком напряжении на затворе. Для них специально создают эти 10-15 В, чтоб они нормально работали.
Есть еще СИТ, но они не распространены, и вроде открыты при нуле на затворе. Их надо принудительно закрывать.
IRF7807 например.
Полевики меряются крутизной характеристики, которая измеряется, если мне память не изменяет, в мА/В - изменение тока "сток-исток", делённое на изменение напряги "затвор-исток". Вот эти хар-ки и ищите в инетах.
Ну, как и у биполярников, у них есть свои нелинейные и линейные (довольно условно) участки, только у бипол. это участки токов, а у полевых участки напряжений, а по поводу биполярников (Тигра, к тебе обращаюсь) эмиттер-база - это p-n переход и он стремится держать постоянное напряжение, поэтому на нём напряга (для кремния) если не ошибаюсь, 1,2 В, а ваши милливольты подаются не на сам p-n переход, а на всю систему "транзистор+обвязка", а на линейном участке хар-ки на эмиттер-базовом переходе стабильно 1,2 В.
Именно потому схемы на биполярниках прожорливые, что им ток подавай да ещё и напряжение 1,2 В, вот вам и мощность рассеиваемая просто в воздух, вот почему все предпочитают полевики, когда жалко электроэнергию. А когда нужно транзистором двигать трамвай, нужна большая выходная мощность и жалко рассеивать энергию на эмиттер-базе, юзают IGBT
Чего-то нагородили тут, наговорили.... оно может и умно, но уж больно непонятно. Каким это <<обычным дают и 10-15 В>>? А если это полевой транзистор КП305А в схеме формирователя импульсов на входе частотомера? Да на его затвор единицы или десятки мкВ подаются, а тут про 10 В говорят.
Транзистор открывается не при каком-то конкретном напряжении на базе или затворе, а при достижении определенного напряжения на P-N переходе, база коллектор или база эмитер, в зависимости от режима включения.
Чтоб правильно рассчитать его нужно смотреть графические характеристики или подби рать экспериментально.