http://www.cec-mc.ru/read/art31.shtmlhttp://sergeyk.kiev.ua/micro/inthechip05.htmlДля того, чтобы занести нужные данные в ячейку, нужно приложить между стоком и истоком определенный потенциал. При этом электронны получают значительную энергию и некоторые таким образом преодолевают “барер” слоя оксида кремния и попадают в поликремний. Для дальнейшего перемещения у электронов не будет достаточной энергии и они остаются “запертыми” в поликристаллическом слое – “плавающем затворе”. После снятия напряжения, потенциал “плавающего затвора” остается стабильным (читай постоянным) в течении длительного периода – десятки лет. Так как в нашем мире нет ничего идеального и оксид кремния не идеальный диэлектрик, то через него протекает очень незначительный поток электронов и потенциал плавающего затвора уменьшается. По проведенным тестам, сейчас FLASH память способна сохранять информацию до пятидесяти - ста лет, а иногда и больше.