Расчет транзисторного ключа (Сборка Дарлингтона)

Вообщем захотел понять как рассчитать транзисторный ключ для микроконтроллера. В идеале хочу понять как рассчитать сборку Дарлингтона.

Помогите и поправьте если что-то не так, далее приведу пример, расчета (как я его понял). Расчет в ключевом режиме:

Предположим, что я хочу управлять нагрузкой

- Ток потребления нагрузки 5 А.
- Напряжение питания нагрузки 100 В.

Выбираю Т2 по коллекторному току (>5 А) и напряжению коллектор-эмиттер (>100 В)

Иду на сайт Чип и Дип (иду в справочник) - подходит по параметрам транзистор 2SC2827

Технические характеристики 2SC2827:
- Структура npn
- Collector-Emetter Voltage Напряжение коллектор-эмиттер (MAX знач.) 200 V
- Collector Current Коллекторный ток (MAX знач.) 6 A
- Collector-emitter saturation voltage Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1 V
- Base-emitter saturation voltage Напряжение насыщения база-эмиттер 1,5 V
- Статический коэффициент передачи тока h21э (MIN знач.) 30

Напряжение источника питания 100 В.

Вычисляем минимальный ток, который нужно подать на базу транзистора, чтобы через коллектор-эмиттер могло пройти 5 ампер:

I(б) = I(k)/h21э; I(б) = 5/30 = 0,17 А
Напряжение насыщения база-эмиттер берем из даташита 1,5 V

Микроконтроллер не сможет открыть этот транзистор так как может выдать на порту ток 0,02 А

Теперь подберем транзистор T1, он должен открывать транзистор Т2. Подбираем Т1 по коллекторному току (>0,17 A), по напряжению коллектор-эмиттер (>1,5 V) по управляющему току базы.

Предположим транзистор КТ3102А:
Технические характеристики КТ3102А:
- Структура npn
- Collector-Emetter Voltage Напряжение коллектор-эмиттер (MAX знач.) 50 V
- Collector Current Коллекторный ток (MAX знач.) 0,1 А
- Collector-emitter saturation voltage Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0,3 V
- Base-emitter saturation voltage Напряжение насыщения база-эмиттер Vbe(sat) = 1 V
- Статический коэффициент передачи тока h21э (MIN знач.) 150

Вычисляем минимальный ток, который нужно подать на базу транзистора, чтобы через коллектор-эмиттер могло пройти 0,17 ампер:

I(б) = I(k)/h21э; I(б) = 0,17/150 = 0,0012 А (1,2 ma)

Управляющее напряжение напряжение берем от микроконтроллера Vмк = 5 V
Рассчитываем резистор для ограничения тока от микроконтроллера до базы:

Падение напряжения на резисторе равно: Uпад= Vмк - Vbe(sat) = 5 - 1 = 4 В

R(базы) = 4/0,0012 = 3333 Ом (3,3 кОм)

Примерные расчеты могут быть такими? Или совсем не так я считаю?