Как устроены транзисторы во флешках?

ну ты спросил.. . тут тебе надо физику твердого тела рассказывать, и физику полупроводниковых приборов.
тем не менее попробую.
ячейка памяти состоит из 1 транзистора. полевого. суть полевого транзистора такова: есть стои и исток. канал между ними управляется напряжением на затворе. есть напряжение (относитель стока, аналог эмиттера в биполярном транзисторе) - канал "открыт, т. е. его сопротивление маленькое, нет напряжения - закрыт.
память началась с динамической, когда под затвор удалось загнать несколько электроном, и они там какое-то время "жили", т. е. сильно не рассасывались. чтобы их все время там "подпитывать", в микросхемах памяти существует такое понятие, как регенрация. сегодня регенрация совмещена, например, с чтением данных. а вот если данные из памяти не выбираются, то все равно надо выбирать колонки и ряды матриц памяти, чтобы "обновить" заряды. отсюда сигналы CAS и RAS на контактах памяти - это стробы регенрации (они же "защелкивают" адреса). Т. о. , в динамической памяти необходимо постоянно перебирать колонки и ряды для восполнения заряда под затвором.
Развитие полупроводников привело к тому, что утечку заряда удалось свести к такому маленькому параметру, что заряд может хранится очень долго - годами. т. е. регенерация перестала быть нужной. получилась память (ячейка памяти) , которая хранит значение (есть заряд - нет заряда) без дополнительных затрат энергии. вот и есть флэш-память.
Как заносится заряд? помимо строк - колонн есть еще сигналы Read - Write (т. е. чтение - Запись данных) . по сигналу Чтение на шину данных выставляется сигнал, прошедший по линии +Напряжение - канала затвора (а он зависит от заряда на затворе) - шина данных. при этом выход подключается к затвору, и затвор как бы "записывает" сам себя (что и есть регенерация) . а вот при команде Запись на шину данных выставляется нужный уровень, и по стробу Записать этот уровень "загоняется" под затвор. Так происходит запись данных в ячейку.
Т. о. , динамическая и флэш-память принципиально отличаются только временем рассасывания заряда из-под затвора.

PS перечитал, хочу еще добавить. когда я говорил, что "загнать под затвор" - это значит подать напряжение на затвор (на электрод) , а потом электрод изолировать от остальных проводников. структура затвор - подложка играет роль конденсатора, и время жизни этого конденсатора и определяет время хранения данных в ячейке.