А тайминги я так понимаю в формулу важнейшей характеристики оперативной памяти в сделку не входили?

Тайминг оперативной памяти - это величина задержки между поступлением команды и ее исполнением

Первичные
CAS Latency (tCL) — главный тайминг в работе памяти. Указывает время между командой на чтение/запись информации и началом ее выполнения.

RAS to CAS Delay (tRCD) — время активации строки.

Row Precharge Time (tRP) — прежде чем перейти к следующей строке в этом же банке, предыдущую необходимо зарядить и закрыть. Тайминг обозначает время, за которое контроллер должен это сделать.

Row Active Time (tRAS) — минимальное время, которое дается контроллеру для работы со строкой (время, в течение которого она может быть открыта для чтения или записи), после чего она закроется.

Command Rate (CR) — время до активации новой строки.

Вторичные
Второстепенные тайминги не так сильно влияют на производительность, за исключением пары штук. Однако, их неправильная настройка может влиять на стабильность памяти.

Write Recovery (tWR) — время, необходимое для окончания записи данных и подачи команды на перезарядку строки.

Refresh Cycle (tRFC) — период времени, когда банки памяти активно перезаряжаются после работы. Чем ниже тайминг, тем быстрее память перезарядится.

Row Activation to Row Activation delay (tRRD) — время между активацией разных строк банков в пределах одного чипа памяти.

Write to Read delay (tWTR) — минимальное время для перехода от чтения к записи.

Read to Precharge (tRTP) — минимальное время между чтением данных и перезарядкой.

Four bank Activation Window (tFAW) — минимальное время между первой и пятой командой на активацию строки, выполненных подряд.

Write Latency (tCWL) — время между командой на запись и самой записью.

Refresh Interval (tREFI) — чтобы банки памяти работали без ошибок, их необходимо перезаряжать после каждого обращения. Но, можно заставить их работать дольше без отдыха, а перезарядку отложить на потом. Этот тайминг определяет количество времени, которое банки памяти могут работать без перезарядки. За ним следует tRFC — время, которое необходимо памяти, чтобы зарядиться.

Третичные
Эти тайминги отвечают за пропускную способность памяти в МБ/с, как это делает частота в герцах.

Эти отвечают за скорость чтения:

tRDRD_sg
tRDRD_dg
tRDRD_dr — используется на модулях с двусторонней компоновкой чипов
tRDRD_dd — для систем, где все 4 разъема заняты модулями ОЗУ
Эти отвечают за скорость копирования в памяти (tWTR):

tRDWR_sg
tRDWR_dg
tRDWR_dr — используется на модулях с двусторонней компоновкой чипов
tRDWR_dd — для систем, где все 4 разъема заняты модулями ОЗУ
Скорость чтения после записи (tRTP):

tWRRD_sg
tWRRD_dg
tWRRD_dr — используется на модулях с двусторонней компоновкой чипов
tWRRD_dd — для систем, где все 4 разъема заняты модулями ОЗУ
А эти влияют на скорость записи:

tWRWR_sg
tWRWR_dg
tWRWR_dr — используется на модулях с двусторонней компоновкой чипов
tWRWR_dd — для систем, где все 4 разъема заняты модулями ОЗУ