Верно ли утверждение что при повышении температуры в полупроводнике обычно увеличивается концентрация основных зарядов?
А также увеличивается концентрация неосновных?
Ну я думаю так: при повышении температуры увеличивается генерация, соответственно электроны чаще покидают свой атом и во время этого атом становится ионом с дыркой, соответственно во время этого +1 основной носитель (электрон перешедший в зону проводимости) и +1 неосновной носитель (дырка которая образовалась за место электрона)
По дате
По Рейтингу
Электроны при повышении температуры чаще вылетают в зону проводимости по двум причинам: при повышении температуры электрону с большей вероятностью прилетают большие порции энергии, и при увеличении температуры кристалла обычно сужается запрещенная зона. Вы в качестве причины называете "увеличение генерации" - совершенно непонятно, что это значит, а все остальное верно.
Больше по теме
