Что такое короткозамкнутый паразитный диод в дискретном МОП транзисторе?

Именно короткозамкнутый интересует. Как он замыкается и почему нейтрализуется сам по себе. Данный процесс как-то связан контактом к подложке но каким образом чот не пойму как.
Уже схемы рисовал на разные варианты подключений. В данный случае N канальный.

На рисунке 4 вида подключений.
Зелёным обозначены pn переходы и обозначения паразитных диодов в этих мастах.
Под схемой подключения для каждого случая выведен сценарий диодов: сверху как подключается, снизу — путь для тока. Красная черта обозначает сам ток, который может обрываться на контакте соответствующего места в транзисторе.
1) емкость от затвора притягивает электроны из глубины — ликвидация дырочной проводимости — ток течет несмотря на то что диод на исток не в прямом подключении.
2) емкость от затвора отгоняет электроны, диоды никак не ликвидируютсяи тот что на истоке не пропускает ток дальше
3) электроны так же отгоняются от затвора с сохранением диодов. Ток от плюс бежит параллельно по подложке и истоку но на истоке обрывается на обратном диоде а подложка вроде бы должна проводить ток через себя всю до диода стока (а он в прямом) и ток должен пойти в обход подзатворной области. Это я не показал так как не уверен в верности рассуждений — просто прерывается на истоке.
4) электроны под затвором. Ток бежит на подложку и исток, затем, с подложки на исток через прямой диод и далее по ликвидированному диоду на сток.
А где короткозамкнутый в этих ситуациях? На разных схемах паразитных диодов показан тот что со стока, и получается на истоке нейтрализован. Но как диод на истоке нейтрализуется?