Кто может пояснить механизм образования диффузионной емкости в p-n переходе?
Ну а что такое ёмкость, по сути-то? Это способность накапливать заряд. А диффузия это что? Это процесс переноса носителей заряда. Иными словами перенос носителей заряда ничто иное как накопление заряда в какой-то области. Ну и его рассасывание соответственно. Обычно диффузную ёмкость не учитывают, ибо она шунтирована низким сопротивлением открытого перехода, но на скорость открытия и закрытия перехода она влияет.
Представь себе p-n-переход, подключённый в прямом направлении: основные носители p-области - дырки - движутся от + к - в n-область, а основные носители n-области - электроны движутся от - к + в p-область.
Но при этом неосновные носители p-области - электроны - движутся от - к + в p-область, а неосновные носители n-области - дырки - движутся от + к - в n-область.
Т. е. основные носители движутся к границе раздела двух областей и спокойно себе рекомбинируют друг с другом, а неосновные носители движутся от границы раздела и создают с двух сторон от неё два разноимённо заряженных слоя, а стало быть, ёмкость.