Почему реальные графики характеристик диодов отличаються от идеальных?

Потому что помимо идеального pn-перехода, для которого и получаются идеализированные характеристики, в реальном приборе, который можно взять в руки и впаять в схему, есть много чего ещё. Например, сопротивление базы диода (просто куска полупроводника от зоны перехода до омического контакта) , сам омический контакт.. . К тому же идеализированная характеристика диода получена при некоторых предположениях, которые могут не выполняться во всём диапазоне токов через переход (эффекты, связанные с высокой концентрацией заряда) . Наконец, в приборах большой площади начинает сказываться неоднородность параметров - в разных точках перехода его параметры хоть немного, да различны.