Кремний - всё, какими будут процессоры будущего ?
Этого наверное даже спецы сейчас не знают.
тунельные
Кремний далеко ещё не всё.
Пока технологи будут искать ему замену системотехники будут усовершенствовать и развивать архитектуры.....а там ещё поле непаханное.
Пока не известно. Если б это было известно, то было бы не будущим, а настоящим.
Кремниевые транзисторы долгое время были основой полупроводниковой электроники, но с развитием технологий и увеличением требований к производительности и энергоэффективности, ученые и инженеры активно ищут альтернативы. Вот несколько перспективных материалов и технологий, которые могут заменить кремний:
Галлий нитрид (GaN)
Галлий нитрид обладает превосходными характеристиками по сравнению с кремнием, такими как более широкий запрещенный диапазон и лучшая теплопроводность. Это позволяет создавать более быстрые и эффективные чипы, которые лучше справляются с высокими температурами и напряжениями.
Углеродные нанотрубки
Углеродные нанотрубки представляют собой свернутые в трубки листы графена. Они обладают высокой подвижностью электронов, что позволяет создавать транзисторы, работающие на более высоких скоростях и с меньшими энергопотерями по сравнению с кремниевыми аналогами.
Графен
Графен — это одноатомный слой углерода, который обладает уникальными электрическими и механическими свойствами. Он может использоваться для создания транзисторов, которые будут работать быстрее и потреблять меньше энергии.
Кубический арсенид бора
Кубический арсенид бора был предложен как возможная альтернатива кремнию благодаря своим превосходным теплопроводным и электронным свойствам. Он может обеспечить более высокую производительность и эффективность в полупроводниковых устройствах.
Дисульфид молибдена (MoS2)
Дисульфид молибдена является еще одним перспективным материалом для создания транзисторов. Он позволяет создавать устройства меньшего размера с высокой производительностью и низким энергопотреблением.
Эти материалы и технологии находятся на разных стадиях разработки и внедрения, но каждый из них имеет потенциал для значительного улучшения характеристик полупроводниковых устройств по сравнению с традиционными кремниевыми транзисторами.